Popis
IRFB4110 N-kanálový MOSFET výkonový 200V 180A, pre viac informácií odporúčame preštudovať datasheet. Vgs th = 2-4V
Špecifikácie:
VDSS = 100V
RDS(on) = 0.0037Ω
Vgs th = 2-4V
ID = 180A, package limit 120A
/nmosfet n mosfet n kanalovy n kanal mosfet
